基于多孔陶瓷的机场缓冲地带
时间：2024-04-02 来源： 作者：
专利名称：基于多孔陶瓷的机场缓冲地带
专利授权号：ZL 2023 2 0874549.8
完成人：黄华强, 花开慧, 黎骏, 梁焯琪, 张昕怡, 张少秋, 赵佳俊, 吴锐杰, 劳珈颖
授权时间：2023-11-10
授权国别：中国
